本报讯（记者刘静）9月8日，随着第一批高压大功率晶闸管正式投片，中国最大的大功率半导体器件研发及产业化基地在中国南车正式投产，这将加速推动国产化大功率半导体器件产业化进程。

为了满足国民经济发展对大功率半导体器件的急切需求，打破国外公司的市场垄断，推动大功率半导体产业上水平、上规模，中国南车旗下的株洲南车时代电气股份有限公司（南车时代电气）依托公司良好的技术基础，总投资近3.5亿元，于2006年年底启动大功率半导体器件研发及产业化基地的建设，历经22个月，实现正式投产。该基地总面积超2万平方米，是目前亚洲自动化、专业化和规模化程度最高的大功率半导体器件生产基地。

据介绍，该基地主要生产5至6英寸全压接高压大电流双极器件、IGCT及其配套二极管、IGBT封装，计划于2013年全面达产，达产后将形成年产5万只6英寸半导体器件的生产能力，年产值达6亿元。此次，他们已经完成大功率双极器件的配套生产能力，具有重要战略意义的核心元件IGBT封装项目也正在实施，预计年底可以投产。

作为我国最早开发大功率半导体器件的单位之一，南车时代电气通过技术引进与自主创新相结合，已经发展成为我国最大的铁路机车大功率半导体器件研发制造基地。目前该公司开发的6500伏系列高压晶闸管、5英寸7200伏晶闸管等高端产品，多次中标国家实施的“西电东送”和“大区联网”等高压直流输电项目，以及国内正在蓬勃发展的高压无功功率补偿（SVC）项目。