人物名片

马晓华，西安电子科技大学宽禁带半导体国家工程研究中心主任、集成电路学部副主任、国家集成电路产教融合创新平台主任，教授。长期从事宽禁带半导体基础创新和关键技术研究，研究成果应用于5G通信、雷达探测、卫星通讯等重大工程，引领我国第三代半导体电子器件步入国际先进行列。曾获2023年度国家科学技术奖一等奖等荣誉，2025年荣获“全国先进工作者”称号。

人物格言

天下事有难易乎？为之，则难者亦易矣；不为，则易者亦难矣。

禁带宽度在2.3eV及以上的半导体材料，被称为宽禁带半导体材料，具有耐高温、高压和抗辐射的特性。为打破国际封锁，从上世纪90年代开始，我国科学家就对此展开了艰苦研究。

多年来，马晓华团队聚焦第三代半导体核心技术突破，在射频器件、功率器件及探测传感器件领域取得系列创新成果。团队针对半导体器件频率、功率、效率与可靠性等关键性能指标开展系统研究，引领我国第三代半导体器件达到国际领先水平。基于前期技术积累，为实现宽禁带半导体国产化应用，团队主导完成“高能效超宽带氮化镓功率放大器关键技术及在5G通信产业化应用”项目研究，突破性地解决了宽带功率放大器在效率提升、带宽扩展与线性优化等方面的技术瓶颈。该成果成功打破国际技术壁垒，助力我国通信设备龙头企业实现基站核心芯片的自主研发与规模化应用，构建起具有自主知识产权的技术防御体系。

马晓华深知，“发丝上建高楼”的半导体人才，是当前全球高科技领域较量的关键。为此，他躬身育人一线，培养行业急需的创新人才。从新生学业启蒙，到专业课程建设，再到前沿知识拓展，他坚持每年为本科生授课，为本科生知识储备打下了坚实的基础。截至目前，马晓华累计培养研究生200余人，2人获评国家级青年人才，90%以上毕业生投身国家战略单位和行业头部企业，40余人成为其中的技术骨干，服务于我国第三代半导体器件产业发展。

面向未来，马晓华及其团队将持续攻关国家战略急需的关键核心技术，为推动我国宽禁带半导体技术研究迈向国际先进行业贡献自己的“芯力量”。