制造光芯片
《工人日报》(2026年10月13日 06版)

10月9日,北京经济技术开发区之所新质产业园,华毅瀛飞(北京)光电科技有限公司的工程师正在MOCVD机台上用特制吸笔小心翼翼地取出纳米工艺的磷化铟外延片。
制备磷化铟外延片是制造3.2T光互联芯片的第一步,MOCVD机台则是制备这类化合物半导体的核心装备。作为一家专注于高端光电子芯片及器件研发的高科技企业,华毅瀛飞致力于攻克高端光芯片国产化难题,由其运营的北京信息光电子芯片平台已于今年6月30日投产。
本报记者 蒋菡 摄


10月9日,北京经济技术开发区之所新质产业园,华毅瀛飞(北京)光电科技有限公司的工程师正在MOCVD机台上用特制吸笔小心翼翼地取出纳米工艺的磷化铟外延片。
制备磷化铟外延片是制造3.2T光互联芯片的第一步,MOCVD机台则是制备这类化合物半导体的核心装备。作为一家专注于高端光电子芯片及器件研发的高科技企业,华毅瀛飞致力于攻克高端光芯片国产化难题,由其运营的北京信息光电子芯片平台已于今年6月30日投产。
本报记者 蒋菡 摄
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